Intel公布5年技术与开发路线图！进入半导体埃米时代，推出首个全新晶体管架构RibbonFET！

　　Intel正式发布了从现在到 2025 年的技术和开发流程路线图。 该路线图是迄今为止最详细的路线图之一，列出了Intel即将推出的工艺和封装技术。

　　首先，Intel进入半导体埃米时代，更新的节点命名体系将创建一致的框架。这也意味着Intel接下来几款的命名约定将放弃“nm”参考，这些工艺节点将简称为 Intel 7、Intel 4 和 Intel 3。

　　根据官方的说法，Intel 7 是路线图上的下一步，Intel目前的 10nm 已经在市场上运行之后。Intel之前被称为 10 纳米增强型 SuperFin 工艺。Intel表示，这晶片预计将比当前的 10nm SuperFin 晶体管提供大约 10% 到 15% 的每瓦性能 (PPW)，同时具有更多增强的功能。这包括增加应变、低电阻材料、新型高密度图案化技术、流线型结构。甚至更好的路由堆栈。

　　在可用性方面，Intel预计Intel7 的生产将于 2022 年第一季度开始。

　　另一方面，Intel 4是Intel希望进一步缩小其工艺节点的时间，从 10nm到 7nm。此外，这将是该公司首次全面拥抱 EUV die lithography；台积电和Samsung已经在自己的晶片上使用了这项技术。至于性能，Intel表示其 PPW 将比Intel 7高 20%，生产将在 2022 年下半年进行，而产品出货预计将在2023年。

　　Intel 3 是此列表中的最后一个产品，并且将是其制造商表示将使用 FinFET 工艺的最后一个工艺节点。遗憾的是，Intel声明并没有提供很多细节，只是它的 PPW 比英特尔 4 高 18%，并且预计将于 2023 年下半年开始生产。

　　需要注意的重要一点是，所有3种 EUV die lithography实际上仍将基于 SuperFin 工艺，只有在Intel 3 之后，Intel才会完全转向全新工艺，Intel 20A 带头充电。

　　借助Intel 20A，该公司还将推出两项新的“突破性”技术：PowerVia 和 RibbonFET。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia 是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 20A 预计将在 2024 年推出。

　　Intel也很会在 Intel 20A 制程工艺技术上，与Qualcomm合作。